ЭЛЕКТРОННО-ДЫРОЧНЫЕ ЦЕНТРЫ ЗАХВАТА В ОБЛУЧЕННОМ УЛЬТРА-ФИОЛЕТОМ КРИСТАЛАХ Li2SO4-Mn - Толеков, Д.А.; Жарылгапова, Д.M.; Мухамбетжанова, А.М.; Алмагамбетова, А.А.; Абитаева, У.А. (Academic Journal of Physical and Chemical Sciences, 2025)
В данной работе исследована природа электронно-дырочных центров захвата в сегнетоэлектрических кристаллах Li₂SO₄-Mn, облучённых ультрафиолетом. По мере быстрого развития технологии твердотельных лазеров с накачкой лазерными диодами, источники мощного когерентного инфракрасного излучения с длиной волны около 1 мкм стали компактными и надежными. В последние годы лазеры активно начинают осваивать ультрафиолетовый и вакуумный ультрафиолетовый диапазоны спектра при сокращении длительности импульсов вплоть до единиц фемтосекунд. В связи с этим имеет место постоянный неослабевающий спрос на дешевые мощные источники когерентного излучения, работающие в егнетоэлектрических кристаллах, облучённых ультрафиолетом и дальных диапазонах инфракрасного спектра, для самых разнообразных применений. Используя спектроскопические методы, была продемонстрирована возможность формирования нескольких типов примесных центров захвата в кристаллах с примесями ионов Mn²⁺. Обнаружено, что под действием УФ-облучения электронные и дырочные центры захватываются в нарушенных участках кристаллической решётки вблизи примесей, что приводит к усилению люминесценции. Экспериментально зафиксированы полосы излучения на длинах волн, связанных с рекомбинацией электронов и локализованных дырок SO₄⁻. Исследования также подтвердили формирование центров захвата при термолюминесценции и оптически стимулированной люминесценции, вызванных гамма- и рентгеновским облучением. Результаты показали, что добавление ионов Mn²⁺ усиливает собственную люминесценцию кристаллов и изменяет их спектральные характеристики. Эксперименты проводились при различных температурах и условиях облучения, что позволило более глубоко изучить процессы рекомбинации в этих материалах. В заключении отмечается, что анизотропия кристаллов Li₂SO₄-Мn оказывает значительное влияние на поведение примесных центров захвата и спектры люминесценции.