CHEMICAL DEPOSITION OF BISMUTH IODIDE SULFIDE SEMICONDUCTOR THIN FILMS - Puzikova, Darya; Margarita Borisovna Dergacheva,; Gulinur Marsovna Khusurova,; Xeniya Aleksandrovna Leontyeva,; Polina Vyacheslavovna Panchenko, (Academic Journal of Physical and Chemical Sciences, 2021)
Полупроводниковые соединения играют важнейшую роль в приборах, преобразующих солнечную энергию в электричество. В данной статье рассмотрен метод химического осаждения полупроводниковых тонких пленок сульфид иодид висмута для применения в качестве фотоанода в фотоэлектрохимических ячейках. Исследовано влияние продолжительности процесса химического осаждения и добавки поливинилпирролидона на морфологию, элементный состав, толщину полученных плёнок. Результаты фотоэлектрохимических исследований показали, что полученный полупроводник характеризуется проводимостью n-типа. Фотоотклик подтверждает возможность дальнейшего использования n-BiSI в качестве альтернативного тонкопленочного материала в фотоэлектрохимических солнечных элементах.