NEGATIVE LONGITUDINAL MAGNETORESISTANCE SILICON ON INTERLINE ELECTRON TRANSITIONS: ОТРИЦАТЕЛЬНОЕ ПРОДОЛЬНОЕ МАГНЕТОСОПРОТИВЛЕНИЕ КРЕМНИЯ НА МЕЖЛИНЕЙНЫХ ЭЛЕКТРОННЫХ ПЕРЕХОДАХ - Таймуратова, Лидия; Bigoja Ondasin,; Seitmuratov Angisin,; Kazbekova Beisenkul Kozbagarovna,; Aimaganbetova Zukhra Kuranievna, (Academic Scientific Journal of Computer Science, 2021)
В статье представлены экспериментальные результаты исследований магнитного сопротивления кремния n-типа, концентрация электронов в интервале температур 77,4-300 К см-3. наблюдалась продольная магнитная интерференция, основанная на перераспределении. Было обнаружено, что экспериментальные результаты имеют хорошее соответствие по количеству и качеству по сравнению с существующими теориями. При H = 350 кЭ энергетический зазор между нижними зонами Ландау составляет 7 мэВ.